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一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法

摘要

本发明属于微纳米制造技术领域,具体涉及一种内部球形缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法。包括:S1、在硅基光子晶体表面蚀刻规则排列的阵列微孔;S2、将蚀刻后的硅基光子晶体置于超声耦合高温成型装置,所述超声耦合高温成型装置包括高温加热器及其外部布设的超声波换能器;S3、调节超声波换能器产生的超声驻波的频率和功率,通过热‑声耦合作用成型得到内部缺陷规则排列的硅基三维光子晶体。本发明针对恒温环境下硅基光子晶体内部空腔的成型常存在形状不定和位置偏移等问题,引入超声驻波来定位内部缺陷结构成型的位置,从而实现硅基内部产生周期性规则排列的空腔结构,为高Q值的硅基三维光子晶体内部腔体位置的调控提供新的思路。

著录项

  • 公开/公告号CN110016720B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN201910414264.4

  • 申请日2019-05-17

  • 分类号

  • 代理机构浙江千克知识产权代理有限公司;

  • 代理人周希良

  • 地址 310018 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街1158号

  • 入库时间 2022-08-23 11:01:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-12

    授权

    授权

  • 2019-08-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B30/00 申请日:20190517

    实质审查的生效

  • 2019-07-16

    公开

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