公开/公告号CN108878469B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-09
原文格式PDF
申请/专利权人 南京大学;
申请/专利号CN201810725971.0
申请日2018-07-04
分类号H01L27/15(20060101);H01L33/32(20100101);H01L33/06(20100101);H01L33/00(20100101);
代理机构32332 江苏斐多律师事务所;
代理人张佳妮
地址 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
入库时间 2022-08-23 11:01:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-09
授权
授权
2018-12-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/15 申请日:20180704
实质审查的生效
2018-11-23
公开
公开
机译: III族氮化物半导体生长衬底,III族氮化物半导体外延衬底,III族氮化物半导体器件和III族氮化物半导体自支撑衬底及其制备方法
机译: 基于氮化物的III-V族半导体器件及其制造方法,制造基于氮化物的III-V族半导体衬底的方法以及大量基于氮化物的III-V族半导体衬底
机译: III族基于氮化物的半导体基质,垂直结构的氮化物型半导体发光器件和生产III族基于氮化物的半导体基质的方法