一种用于相变记忆体芯片的薄膜、开关材料及其制备方法

摘要

一种用于相变记忆体芯片的薄膜、开关材料及其制备方法，属于材料领域。开关材料包括掺杂有碳纳米管的硫族元素化合物。通过引入碳纳米管，使得该材料的导热性能和导电性能明显改善，但又不改变其作为开关材料的I‑V曲线的特征。因此在该混合材料制成的靶材后续加工的过程中，其可加工性得到了极大的改进，良率和生产率得到了很大的提高，同时，由该种靶材溅射成的薄膜还保持着纳秒级开关材料的性能，用于制作以相变材料为基础的记忆体芯片。