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博世工艺的刻蚀终点监测方法以及博世刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种博世工艺的刻蚀终点监测方法以及博世刻蚀方法,其可更准确地确定刻蚀终点,避免过度刻蚀引起的基片损伤。在所述博世工艺中,连续监测并获得OES信号,其特征在于,以每一刻蚀步骤或每一沉积步骤为单位,对所获得的OES信号进行处理,以此来确定刻蚀终点。

著录项

  • 公开/公告号CN107644811B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中微半导体设备(上海)股份有限公司;

    申请/专利号CN201610573575.1

  • 发明设计人 严利均;黄智林;王红超;刘身健;

    申请日2016-07-20

  • 分类号

  • 代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人朱成之

  • 地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

  • 入库时间 2022-08-23 10:59:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-22

    授权

    授权

  • 2019-04-12

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/3065 变更前: 变更后: 申请日:20160720

    著录事项变更

  • 2018-02-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/3065 申请日:20160720

    实质审查的生效

  • 2018-01-30

    公开

    公开

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