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用于高功率电迁移的通孔轨解决方案

摘要

本发明实施例涉及一种具有防止诸如电迁移的可靠性问题的通孔轨的集成电路。在一些实施例中,集成电路具有在半导体衬底上方布置的多个第一导电接触件。在多个第一导电接触件上方布置第一金属互连引线,且在第一金属互连引线上方布置第二金属互连引线。通孔轨布置在第一金属互连引线上方且电连接第一金属互连引线和第二金属互连引线。通孔轨具有在多个导电接触件的两个或多个上方连续延伸的长度。通孔轨的长度在第一金属互连引线和第二金属互连引线之间且沿着通孔轨的长度提供了增加的横截面积,从而减轻集成电路内的电迁移。本发明实施例涉及用于高功率电迁移的通孔轨解决方案。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-01

    授权

    授权

  • 2017-09-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20161018

    实质审查的生效

  • 2017-09-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20161018

    实质审查的生效

  • 2017-08-11

    公开

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  • 2017-08-11

    公开

    公开

  • 2017-08-11

    公开

    公开

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