一种氧化镓器件隔离区的制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化镓器件隔离区的制备方法，包括：在氧化镓材料上淀积掩膜层；去除所述掩膜层的预设部分区域；利用高温氧化技术，在所述氧化镓材料上与所述预设部分区域对应的位置制备所述隔离区，所述隔离区位于所述氧化镓器件的有源区之间；去除所述氧化镓材料上剩余的掩膜层。本发明通过高温氧化技术制备隔离区，避免了隔离区制备过程中对氧化镓器件造成的损伤，实现了氧化镓器件有源区之间的隔离。