一种基于FinFET的单端读写存储单元

摘要

本发明公开了一种基于FinFET的单端读写存储单元，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、位线、字线，写字线、写上字线、写下字线和虚地线，第一FinFET管和第二FinFET管均为P型FinFET管，第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管均为N型FinFET管；优点是在保证读操作稳定性的基础上，可以得到较高的写噪声容限，存储值结果稳定，电路功能稳定，且漏功耗较小，同时延时也较小，利于快速稳定存取数据。