一种基于FinFET器件的全摆幅单端读存储单元

摘要

本发明公开了一种基于FinFET器件的全摆幅单端读存储单元，包括写字线、写位线、反相写位线、读字线、读位线、第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管和第九FinFET管，第一FinFET管、第二FinFET管和第七FinFET管分别为低阈值的P型FinFET管，第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第九FinFET管分别为为低阈值的N型FinFET管，第八FinFET管为高阈值的N型FinFET管；优点是在不影响电路功能的情况下，延时、功耗和功耗延时积均较小，读操作时数据不会出错，电路稳定性较高。