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离子掺杂装置及离子掺杂装置用多孔电极

摘要

一种离子掺杂装置,本发明的课题在于:在与基片扫描方向正交方向的狭小范围内抑制离子注入量的偏差。本发明的离子掺杂装置具有使从设有多个电极孔(210)的多孔电极(200)引出的离子束向扫描的基片(300)照射的结构,由多个电极孔(210)构成的电极孔群(α...)中各电极孔(210)在与基片(300)扫描方向X正交的方向Y上错开位置配置以使电极孔群(α...)向基片(300)的离子注入量均匀。

著录项

  • 公开/公告号CN100378920C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-04-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 夏普株式会社;

    申请/专利号CN03156660.X

  • 发明设计人 山内哲也;

    申请日2003-09-08

  • 分类号H01L21/223(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人李宗明;杨梧

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-04-02

    授权

    授权

  • 2005-10-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-05-12

    公开

    公开

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