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Ion doping apparatus, and multi-apertured electrode for the same

机译:离子掺杂装置及用于该装置的多孔电极

摘要

With the object of suppressing dispersion in the dose of ion implantation within a narrow range in a direction orthogonal to the scan direction of a substrate, an ion doping apparatus irradiates the substrate to-be-scanned with ion beams which are drawn out from multi-apertured electrodes (200 in FIG. 2) each being provided with a large number of electrode apertures (210). In electrode aperture groups &agr;, . . . of the multi-apertured electrode (200), each including a plurality of electrode apertures (210), the individual electrode apertures (210) are arranged having positional shifts in the direction Y orthogonal to the scan direction X of the substrate so as to homogenize the doses of ion beam implantations into the substrate by the electrode aperture groups &agr;, . . . .
机译:为了将离子注入剂量中的分散抑制在与基板的扫描方向正交的方向上的狭窄范围内,离子掺杂装置对从多个基板引出的离子束进行照射。孔电极(图2中的 200 )在电极上设置有大量的电极孔( 210 )。在电极孔组&agr;中。 。 。在多孔电极( 200 )中,每个电极都包括多个电极孔( 210 ),单个电极孔( 210 )为布置成在垂直于衬底的扫描方向X的方向Y上具有位置偏移,从而通过电极孔组a,…,a使离子束注入到衬底中的剂量均匀。 。 。 。

著录项

  • 公开/公告号US2004195524A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-10-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 YAMAUCHI TETSUYA;

    申请/专利号US20030654437

  • 发明设计人 TETSUYA YAMAUCHI;

    申请日2003-09-04

  • 分类号G21G5/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 23:20:06

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