一种基于级联SiC MOSFET的全固态直流断路器拓扑结构

摘要

本发明公开了一种基于级联SiC MOSFET的全固态直流断路器拓扑结构，包括控制单元及执行单元，其中，控制单元包括控制器及驱动器，执行单元包括第一控制端子、第二控制端子、第一功率端子、第二功率端子、二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一SiC MOSFET管、第二SiC MOSFET管、第一压敏电阻、第二压敏电阻、动态均压电容、驱动电容、第一静态均压电阻及第二静态均压电阻，该拓扑结构的可靠性高、成本低，并且能够实现级联SiC MOSFET的电压均衡。