首页> 中国专利> 浮置I/O电压源电压集成电路中的有源泄漏电流的方法和装置

浮置I/O电压源电压集成电路中的有源泄漏电流的方法和装置

页面导航

摘要

本发明描述了一种用于当I/O电压可能浮置时将集成电路I/O引脚拉至已知状态并提供在引脚和电压源之间的电流通路的装置和方法。提供了至少一个耦合在I/O引脚和电压源之间的I/O晶体管。还提供了一个与I/O晶体管相连的组合电路，以便于当I/O电压可能浮置时导通I/O晶体管。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2008-05-21

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080411 申请日:20031006

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
2008-02-27

授权

授权
2006-02-15

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-12-21

公开

公开

1. 浮置I/O电压源电压集成电路中的有源泄漏电流的方法和装置 [P] . 中国专利： CN100372233C . 2008.02.27
2. 电压源和浮置栅极电压源 [P] . 中国专利： CN205620843U . 2016.10.05
3. The voltage source null control gate and the floating gate which adjusted in order to introduce tunnel electric current into the floating [P] . 日本专利： JP4074748B2 . 2008-04-09

机译：为了将隧道电流引入到浮置中而进行了调整的电压源无效控制栅极和浮置栅极
4. Semiconductor leakage current detector and leakage current measurement method, semiconductor leakage current detector with voltage trimming function and reference voltage trimming method, and semiconductor integrated circuit thereof [P] . 美国专利： US7446549B2 . 2008-11-04

机译：半导体泄漏电流检测器和泄漏电流测量方法，具有电压微调功能和参考电压微调方法的半导体泄漏电流检测器及其半导体集成电路
5. SEMICONDUCTOR LEAK CURRENT DETECTOR, LEAK CURRENT MEASURING METHOD, SEMICONDUCTOR LEAK CURRENT DETECTOR WITH VOLTAGE TRIMMING FUNCTION, REFERENCE VOLTAGE TRIMMING METHOD, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREFOR [P] . 日本专利： JP2007172766A . 2007-07-05

机译：半导体泄漏电流检测器，泄漏电流测量方法，带电压微调功能的半导体泄漏电流检测器，参考电压微调方法以及半导体集成电路参考