公开/公告号CN205620843U
专利类型实用新型
公开/公告日2016-10-05
原文格式PDF
申请/专利权人 意法半导体(ALPS)有限公司;
申请/专利号CN201620136985.5
发明设计人 K·伦兹;
申请日2016-02-23
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 法国格勒诺布尔
入库时间 2022-08-22 01:45:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-15
避免重复授予专利权 IPC(主分类):G05F1/56 授权公告日:20161005 放弃生效日:20190315 申请日:20160223
避免重复授权放弃专利权
2016-10-05
授权
授权
机译: 为了将隧道电流引入到浮置中而进行了调整的电压源无效控制栅极和浮置栅极
机译: 用于例如数字照相机和移动电话的非易失性存储器件具有:具有沟槽结构的浮置栅极;在沟槽结构内部形成的控制栅极;以及设置在浮置栅极和控制栅极之间的栅极绝缘层。
机译: 半导体器件的晶体管包括堆叠型栅极,栅极氧化膜和浮置氮化物膜,其被掩埋在形成在半导体衬底上的栅极氧化膜与形成在浮置栅极上的栅氧化膜之间的间隙处。