压接式IGBT器件正面金属电极结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种压接式IGBT器件正面压接金属电极结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的IGBT晶圆；步骤2、将金属淀积基片键合在连接金属电极层上；步骤3、在上述金属淀积基片上方淀积所需的金属，所述淀积的金属通过金属淀积图形与连接金属电极层电连接；步骤4、将金属淀积基片与连接金属电极层分离；步骤5、在上述IGBT晶圆正面制备所需的钝化层。本发明工艺步骤简单，与现有工艺兼容，能有效实现压接式IGBT器件正面上压接金属电极层的制备，可以省掉压接式IGBT器件上压接金属电极层的光刻加工工序，有效缩短压接式IGBT器件的加工周期，降低加工成本，安全可靠。