一种非接触无损伤的测量外延SOI外延层电阻率的方法

摘要

本发明公开了一种非接触无损伤的测量外延SOI外延层电阻率的方法，该方法针对外延SOI外延层进行电阻率的测量，为了达到测量精准的效果，首先对外延SOI表面进行特定的预处理，使表面的缺陷及电学参数达到所需要求。再施加特定电压，根据C‑V曲线算出电阻率。最终结果误差小于0.1％。本发明为非接触式测量，具有非破坏性、无损伤性、可重复利用等优点。在实际生产中，被测外延SOI仍然可以使用。大大的提高了产品良率，节约了成本。