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具有抵抗腐蚀熔丝区域的集成电路器件及其制造方法

摘要

设置一种集成电路器件,包括一集成电路基片和在集成电路基片上的间隔开的第一至第四下部互连。该第三和第四间隔开的下部互连平行于第一和第二下部互连。在第一和第二下部互连之间的第一和第二下部互连上设置第一熔丝,并电耦合到第一和第二下部互连。该第二熔丝间隔开第一熔丝设置,并设置在第三和第四下部互连上。该第二熔丝处在第三和第四下部互连之间,并被电耦合到第三和第四下部互连。同时也提供了制造集成电路器件的相关方法。

著录项

  • 公开/公告号CN100361300C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-01-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200410061646.7

  • 申请日2004-06-24

  • 分类号H01L23/525(20060101);H01L21/768(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人樊卫民;关兆辉

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-13

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/525 授权公告日:20080109 终止日期:20130624 申请日:20040624

    专利权的终止

  • 2008-01-09

    授权

    授权

  • 2005-04-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-02-02

    公开

    公开

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