一种基于积累模式阻变场效应晶体管的与非型存储阵列

摘要

本发明公开了一种基于积累模式阻变场效应晶体管的与非型存储器阵列，该阵列包括若干矩阵式排布的存储单元，存储单元为积累模式阻变场效应晶体管：行方向上，每行的存储单元通过栅极相接，共同接至字线，通过控制字线的电位大小对选择的存储单元进行信息的读写和擦除；列方向上，每列首行至末行存储单元依次漏、源相接，首行存储单元源极引出到源端位线，末行存储单元漏极引出到漏端位线；该阵列基于的晶体管可以调节栅氧的电阻状态，不同阻态下晶体管的阈值电压不同，通过阈值附近的漏端电流大小来判断晶体管电阻状态，因此可实现数据的擦除、写入和读取。本发明可有效简化工艺、降低制备成本、降低功耗，本发明与标准CMOS工艺兼容。