法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-13
授权
授权
2017-09-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/12 申请日:20170527
实质审查的生效
2017-09-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/12 申请日:20170527
实质审查的生效
2017-09-05
公开
公开
2017-09-05
公开
公开
2017-09-05
公开
公开
查看全部
机译: 异质结二极管,一种制造异质结二极管的方法和一种包括异质结二极管的电子设备
机译: 利用层转移技术制造硅/电多层半导体结构的方法,以及使用同一方法的三维多层半导体器件和叠层型图像传感器的制造方法,以及一种多层制造方法设备和堆叠式图像传感器
机译: 在高间隙比发射极-基极异质结中采用载流子倍增的异质结半导体器件