用于三维非易失性电阻式随机存取存储器的纳米颗粒基体

摘要

本公开主要涉及一种三维NVM RRAM装置中的纳米颗粒基体。该RRAM装置使用可以沉积到高深宽比沟道中的材料，材料具有良好的循环性能，短的擦和写时间，以及与CMOS兼容的写/擦电压。RRAM材料设置于装置的两个电极之间，并包括分布于绝缘基体内的导电纳米颗粒。颗粒低于渗流阈值分布。