首页> 中国专利> 一种低导热率非导体材料高温半球发射率测量方法与系统

一种低导热率非导体材料高温半球发射率测量方法与系统

摘要

本发明涉及一种低导热率非导体材料高温半球发射率测量方法与系统。该方法利用材料常温、高温、法向、半球发射率的关系,通过测量常温半球发射率、常温法向发射率及高温法向发射率,导出材料高温半球发射率。测量系统包括常温半球发射率测量装置、常温法向发射率测量装置及高温法向发射率测量装置。本发明通过间接测量的方式,得出高温半球发射率,实现了低导热率非导体材料高温半球发射率测量途径,测量过程科学,结果准确可靠。

著录项

  • 公开/公告号CN107655833B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京振兴计量测试研究所;

    申请/专利号CN201710853728.2

  • 申请日2017-09-20

  • 分类号G01N21/17(20060101);G01N21/25(20060101);

  • 代理机构11386 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人龚颐雯;王一

  • 地址 100074 北京市丰台区云岗北区西里1号院30号

  • 入库时间 2022-08-23 10:48:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-21

    授权

    授权

  • 2018-03-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/17 申请日:20170920

    实质审查的生效

  • 2018-03-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/17 申请日:20170920

    实质审查的生效

  • 2018-02-02

    公开

    公开

  • 2018-02-02

    公开

    公开

  • 2018-02-02

    公开

    公开

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