一种堆叠式全局曝光像素单元结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种堆叠式全局曝光像素单元结构及其形成方法，通过在堆叠的第一芯片和第二芯片的顶层介质层和粘合层中利用顶层金属形成电容的下极板和上极板，以取代原有位于第一芯片硅衬底中的MOS电容，而电容介质层也可使用高介电常数制作，因此可大幅增加电容的有效面积，从而增加全局曝光像素单元的存储电容值，并有效降低读出噪声；同时，通过使用不透光的顶层金属材料制作电容下极板作为遮光结构，可避免穿透硅衬底和后道介质层的入射光线对电容存储信号造成影响；此外，由于无需再在第一芯片的硅衬底中形成MOS电容结构，因而光电二极管的感光区域可以增加至原来MOS电容占据的位置，从而提高了像素单元的灵敏度。