逻辑FINFET高K/导电栅极嵌入式可多次编程闪存

摘要

一种用于制造可多次编程(MTP)器件的方法包括在第二导电类型的基板上形成第一导电类型的鳍。该方法进一步包括形成浮栅电介质以部分地围绕这些鳍。该方法还包括在该浮栅电介质上形成浮置栅极。该方法还包括在该浮置栅极上形成耦合膜，并且在该耦合膜上形成耦合栅极。