组合了高密度低带宽和低密度高带宽存储器的存储器系统

摘要

在一个实施方案中，存储器系统可包括在至少一个特性上不同的至少两种类型的DRAM。例如，一个DRAM类型可以是高密度DRAM，而另一个DRAM类型比第一DRAM类型可具有更低的密度但也可具有更低的延迟和更高的带宽。第一类型的DRAM可位于一个或多个第一集成电路上，并且第二类型的DRAM可位于一个或多个第二集成电路上。在一个实施方案中，第一集成电路和第二集成电路可在叠堆中耦接在一起。第二集成电路可包括用于耦接到其他电路(例如，具有存储器控制器的集成电路，诸如片上系统(SOC))的物理层电路，并且该物理层电路可被第一集成电路中的DRAM共享。