一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法

摘要

本发明实施例提供一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法。所述光栅包括依次外延的第一层、第二层和第三层；其中，所述第二层为凹槽状的周期结构，所述第三层填充所述第二层凹槽并向外延展，所述第二层的材料与所述第三层的材料的折射率不相同；所述光栅的一个光栅周期的范围为200～280nm，占空比为1:1；所述凹槽深度为光栅深度，所述光栅深度范围为300～420nm。本发明实施例在刻蚀光栅区域时，通过调整RIE设备刻蚀气体流量、腔体压力、射频功率等参数，克服了刻蚀过程中的Lag效应，刻蚀出深宽比达到3:1的光栅图形，获得预设深宽比光栅，光栅的深宽比高，光栅耦合系数大，可替代均匀光栅结构最小光栅区长度的取样光栅，节省EBL制作成本，缩短制作周期。