首页> 中国专利> 具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法

具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法

摘要

一种可调的RF连接环,可以减小真空处理室中基片和热边缘环之间的垂直缝隙。缝隙的减小减少了聚合物在基片和静电吸盘上的沉积,改进了晶片的处理。

著录项

  • 公开/公告号CN100351989C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-11-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 兰姆研究公司;

    申请/专利号CN03822266.3

  • 发明设计人 J·东;E·H·伦兹;

    申请日2003-08-28

  • 分类号H01J37/32(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人王彦斌

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 37/32 授权公告日:20071128 终止日期:20180828 申请日:20030828

    专利权的终止

  • 2007-11-28

    授权

    授权

  • 2007-11-28

    授权

    授权

  • 2005-12-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-12-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-10-12

    公开

    公开

  • 2005-10-12

    公开

    公开

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