公开/公告号CN107831816B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201710904224.9
发明设计人 袁志勇;
申请日2017-09-29
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人郭四华
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 10:45:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-10
授权
授权
2018-04-17
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/56 申请日:20170929
实质审查的生效
2018-04-17
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 申请日:20170929
实质审查的生效
2018-03-23
公开
公开
2018-03-23
公开
公开
2018-03-23
公开
公开
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机译: 半导体存储装置,内部电源电压产生电路,内部高电压产生电路,中间电压产生电路,恒流源和基准电压产生电路
机译: 半导体存储设备,内部电源产生电路,内部高压产生电路,中间电压产生电路,恒定电流源和参考电压产生电路
机译: 内部电源电压产生装置,具有用于产生接通电压的接通电压产生部分,其中,电压产生部分被由基准电压产生部分产生的基准电压切断。