首页> 中国专利> 制备垂直过渡金属硫化物纳米片阵列的方法及电催化析氢催化剂

制备垂直过渡金属硫化物纳米片阵列的方法及电催化析氢催化剂

摘要

本发明公开了一种利用化学气相沉积制备垂直的金属性过渡金属硫化物纳米片阵列的方法,包括:1)利用多孔金作为生长基底;2)用单质硫和过渡金属的氯化物作为前驱体依次放置在气流上游;3)通入载气去除残留空气,气流稳定后,将单质硫、过渡金属的氯化物和多孔金分别加热至不同温度,保温一定的时间,在基底上生长得到垂直的金属性过渡金属硫化物纳米片阵列。这种方法可以实现大批量金属性过渡金属硫化物纳米片的制备,同时用此合成方法制得的垂直金属性过渡金属硫化物纳米片阵列具有优良的电催化析氢性能。

著录项

  • 公开/公告号CN108298583B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201810117506.9

  • 发明设计人 张艳锋;郇亚欢;史建平;

    申请日2018-02-06

  • 分类号C01G35/00(20060101);B82Y30/00(20110101);C01G39/06(20060101);C01G31/00(20060101);C01G33/00(20060101);B01J27/04(20060101);

  • 代理机构11472 北京方安思达知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈琳琳;李彪

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2022-08-23 10:44:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-29

    授权

    授权

  • 2018-08-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 35/00 申请日:20180206

    实质审查的生效

  • 2018-08-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 35/00 申请日:20180206

    实质审查的生效

  • 2018-07-20

    公开

    公开

  • 2018-07-20

    公开

    公开

  • 2018-07-20

    公开

    公开

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