一种分布布拉格反射器半导体激光器光栅制备工艺

摘要

高功率1064nm分布布拉格反射器半导体激光器(DBR‑LD)属于半导体光电子器件领域，常规的半导体激光器输出功率易受环境温度影响。另外,分布反馈布拉格半导体激光器(DFB‑LD)需要二次外延生长，相比于DBR‑LD工艺过程复杂,影响了DFB‑LD在代替1064nm固体激光器和作为通信种子源方面的应用。本发明之一种分布布拉格反射器半导体激光器光栅的制备工艺，通过在传统半导体激光器外延片P面有源区旁侧，经过全息光刻、干法刻蚀等工艺制作一阶布拉格光栅。有效地解决了DFB‑LD需二次外延，输出功率易受环境温度影响等问题，对促进分布布拉格反射器半导体激光器的发展具有重要意义。