EUV设计规则、光源和掩模的联合优化和成像建模方法

摘要

本发明公开了EUV的设计规则，光源和掩模的联合优化方法，包括：针对提供的EUV模型进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图；进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图。本发明还公开了一种极紫外光刻的成像建模方法。本方法将芯片设计规则优化引入SMO流程中，得到设计目标图形和先进SMO联合优化方法，在保证器件尺寸不变情况下，微调部分器件版图线宽及间距，从而提高整体工艺窗口，节省了优化的时间，同时又达到增大复合工艺窗口的目的。