EUV设计规则、光源和掩模的联合优化和成像建模方法

摘要

本发明公开了EUV的设计规则，光源和掩模的联合优化方法，包括：针对提供的EUV模型进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图；进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图。本发明还公开了一种极紫外光刻的成像建模方法。本方法将芯片设计规则优化引入SMO流程中，得到设计目标图形和先进SMO联合优化方法，在保证器件尺寸不变情况下，微调部分器件版图线宽及间距，从而提高整体工艺窗口，节省了优化的时间，同时又达到增大复合工艺窗口的目的。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种极紫外光刻(EUV)中的设计规则、光源、掩模联合优化方法以及极紫外光刻的成像建模方法。

背景技术

光刻技术是芯片制造流程最重要的组成部分，由于光刻是唯一产生图形的工艺步骤,因此它是摩尔定律的主要驱动力。目前,14nm节点的光刻工艺通过193nm浸没式光刻系统结合双图形曝光技术实现,业界预期10nm及以下节点将采用多重曝光技术实现。但是双图形曝光以及多重图形方法会带来设计规则繁琐、工艺复杂、生产成本剧增等问题，随着技术节点的进一步推进，相关工艺的研发成本与难度也越来越高。这使得芯片中单个晶体管成本不降反升，业界急需新的光刻技术降低先进节点集成电路生产成本。极紫外(ExtremeUltraviolet,EUV)光刻使用极紫外光作为光源，曝光波长降到13.5nm,由于成像分辨率与曝光波长成反比，EUV光刻能够极大提高光刻分辨率，单次曝光的分辨率可满足先进节点(7nm)的需求，从而能够取代多重图形技术，减少曝光次数并降低工艺的复杂度。业界普遍认为,7nm节点将是EUV光刻技术介入的最好时机，届时将取代多重曝光技术成为先进节点光刻的主流技术。

当技术节点进入亚波长后，光刻技术需要复杂的计算光刻，尤其是光源掩模联合优化(SourceandMaskOptimization，SMO)方法辅助光刻工艺研发。SMO是一种先进的分辨率增强技术，根据光刻光学成像模型，采用预畸变方法调整光源形状及强度分布，修正掩模图形，调制透过掩模的电磁场分布，从而提高光刻系统的成像性能，促使光刻系统达到其分辨率极限。相比于193nm光刻技术，虽然EUV光刻技术在分辨率方面占有极大的优势，但其在光刻仿真及优化方面也迎接了新的挑战，目前，业界并没有实用的针对EUV光刻的SMO方法。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的实施例公开了一种极紫外光刻的设计规则，光源和掩模的联合优化方法，包括：针对提供的EUV模型进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图；进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图。

根据本发明的一个实施例，其中，进行第一优化仿真包括：S05：在整个掩模版图上使用统一的吸收层厚度，对所述热点区域进行光源和掩模联合的第一优化仿真，并获取优化后的光源和掩模版图；S06：对优化后的光源和掩模版图进行分析，评估成像结果是否满足第一光刻工艺条件，若光刻成像质量满足第一光刻工艺条件，则光源掩模联合优化SMO完成，执行步骤S08，如果不能够满足第一光刻工艺条件，则执行步骤S07；S07：根据第一优化仿真的成像结果分析光刻条件中的不足，调整光刻工艺参数以及重复执行步骤S05、步骤S06，直至优化后的光源和掩模版图满足第一光刻工艺条件；S08：确定满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图。

其中，步骤S07中调整的工艺参数可以包括：掩模可制造性的基本规则以及参与优化的掩模误差、曝光剂量浮动和离焦量。

其中，第一光刻工艺条件可以包括：预设测量位置处的特征尺寸容限，预设曝光宽容度的焦深。

其中，预设测量位置处的特征尺寸容限可以为图形宽度的±10％，焦深可以为5％曝光宽容度处的焦深。

根据本发明的一个实施例，进行第二优化仿真可以包括：S09：确定掩模版图的吸收层厚度的范围以及步长，按照预先设定的步长将一定范围的吸收层厚度进行采样，分别计算不同吸收层厚度下的极紫外光刻成像模型，利用不同吸收层厚度进行多次SMO；S10：对不同的吸收层厚度的SMO结果的工艺窗口进行第二优化仿真，选择出最佳的吸收层厚度、光源和掩模版图；S11：评估上述最佳的光源、掩模版图成像结果是否满足第二光刻工艺条件，如果能够满足第二光刻工艺条件，则执行步骤S13，若不满足要求，则执行步骤S12；S12：分析上述结果的工艺窗口，确定限制工艺窗口的设计图形，确定该设计图形中哪个尺寸可以改变及其范围，对掩模设计规则、光源、掩模图形进行优化，直至所述第二优化仿真的评估结果满足第二光刻工艺条件，确定满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图。

其中，步骤S09中对不同吸收层厚度的光源掩模联合优化可以包括：确定掩模版图的吸收层厚度的范围以及步长，按照预先设定的步长将一定范围的吸收层厚度进行采样，分别计算不同吸收层厚度下的极紫外光刻成像模型，利用不同吸收层厚度进行多次SMO。

其中，所述第二光刻工艺条件可以包括：特征尺寸容限、特征尺寸均匀性、颈缩、桥接和套刻精度。

其中，步骤S12中对掩模设计规则、光源和掩模图形进行优化可以包括:从改变芯片设计尺寸的角度出发,基于上述步骤光刻成像结果反馈的信息进行分析，得到一套健全的版图设计规则，并在优化过程中根据得到的设计规则对相关图形尺寸重新定义，同步进行目标图形、光源、掩模图形的优化,直至满足极紫外光刻工艺指标。

其中，步骤S12中最终优化结果可以包括版图设计规则相关参数、目标图形、更新后的测量参数、优化后的光源和掩模图形。

本发明的实施例还公开了一种极紫外光刻的成像建模方法，包括：S03：根据输入的光源信息和掩模版图信息，对杂散光进行计算并补偿得到杂散光光强分布；S04：计算理想的光刻光强分布，结合得到的杂散光光强分布，计算得到含杂散光的成像光强分布，即在极紫外光刻成像光强分布中，建立极紫外光刻成像模型，所述极紫外光刻成像模型包括优化后的光源和掩模版图；在步骤S04之后，则根据上述的方法对极紫外光刻成像模型进行设计规则，光源和掩模的联合优化；S13：计算优化后的掩模版图的每个边缘的阴影宽度并进行调整，在极紫外光刻成像模型中补偿极紫外光刻阴影效应；S14：获得优化后的光源和掩模版图并输出结果。

根据本发明实施例的一个方面，在步骤S03之前还可以进一步包括：S01：输入光刻工艺参数、光源信息和掩模版图信息；S02：对所述掩模版图进行检测，并选择热点区域。

根据本发明实施例的一个方面，，所述光源信息包括：光源类型、数值孔径；所述掩模版图信息包括：掩模极性、掩模设计图形和光阻信息。

根据本发明实施例的一个方面，步骤S03中杂散光的计算方法包括：

使用改进的“余弦法则”对阴影效应建模：

$>I_{flare}(x,y)={\mathrm{PSF}}_{SC}(x,y)\otimes PD,$>

其中，I_flare(x,y)表示杂散光光强分布，PSF_SC(x,y)表示杂散光点扩散函数，PD表示版图图形密度。

根据本发明实施例的一个方面，，步骤S04中所述极紫外光刻成像光强计算方法包括：

$>I_s(x,y)=(1-TIS)I(x,y)+{\mathrm{PSF}}_{SC}(x,y)\otimes PD,$>

其中，I_s(x,y)表示极紫外成像光强分布，I(x,y)表示理想的光刻成像光强分布，基于Abbe成像理论的光刻矢量成像模型，计算方法为：

$>I(x,y)=\underset{s}{\int }{a}_s(x,y,f_{x,s},f_{y,s})·a_s^{*}(x,y,f_{x,s},f_{y,s})·S(f_{x,s},f_{y,s}){\mathrm{df}}_{x,s},{\mathrm{df}}_{y,s}$>

α_s(x,y,f_x,s,f_y,s)＝F^-1{P(f_x-f_x,s,f_y-f_y,s)·F{M(x,y)}}，

其中,下标s表示照明光源上某个点光源，α_s表示点光源s在成像面上的电磁场分布,α_s^*是它的共轭。S(f_x,f_y)表示照明光学系统由通过有效光源分布函数，表征不同角度的非相干平面波的强度分布。空间频率f定义为平面波传播方位角的正弦值与波长的比值：

$>f_{x,y=\frac{{\mathrm{sin\theta }}_{x,y}}{\lambda }},$>

掩模对入射光线的调制作用由透过率函数M(x,y)或透过率函数的夫琅和费衍射光谱F{t(x,y)}表示，F{}表示傅里叶变换，F^-1{}表示逆傅里叶变换。TIS表示全积分散射，是杂散光的总强度占进入光刻光学系统的成像光束总强度的比例，计算方法为：

$>TIS=\underset{\infty }{\int }{\mathrm{PSF}}_{SC}(x,y)dxdy=\underset{\infty }{\int }2\pi r·{\mathrm{PSF}}_{SC}\left(r\right)dr.$>

根据本发明实施例的一个方面，其中步骤S13中计算优化后掩模版图的每个边缘的阴影宽度并进行调整，主要包括:

根据余弦法则计算每条边的偏置量：

B＝B_maxcosⁿα

其中B表示最大每条边的阴影宽度，B_max表示最大阴影宽度，为实验数据的横向线条CD与纵向线条CD最大偏差的一半。n为可调参量，通过实验数据拟合获得。B的拟合方式为实验数据的横向线条CD与纵向线条CD最大偏差的一半。据其对版图中每条边进行补偿。

本方法将EUV中的杂散光效应和阴影效应分别加入到SMO的建模中，建立一种针对EUV光刻的SMO方法。同时由于EUV掩模吸收层厚度对光刻成像质量影响明显，而传统的SMO方法仅对掩模图形的二维分布，即多边形的长度和宽度进行优化，本方法在其基础上将掩模吸收层厚度加入到SMO中，建立了掩模三维结构优化方法。为了进一步提高SMO方法的自由度，提高光刻成像性能以及优化掩模可制造性，本方法将芯片设计规则优化引入SMO流程中，得到设计目标图形和先进SMO联合优化方法，在保证器件尺寸不变情况下，微调部分器件版图线宽及间距，从而提高整体工艺窗口，节省了优化的时间，同时又达到增大复合工艺窗口的目的。

附图说明

通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1为根据本发明一个实施例的极紫外光刻的建模成像方法流程示意图；

图2是根据本发明一个实施例的原始掩模版图的示意图；其中(a)-(d)分别是实施例的原始掩模版图；

图3是根据本发明一个实施例极紫外光刻系统示意图；

图4是根据本发明一个实施例极紫外光刻掩模三维结构示意图；其中(a)-(c)分别是掩模三维结构、掩模图形、吸收层厚度；

图5是根据本发明一个实施例极紫外光刻的设计规则，光源和掩模的联合优化方法中在第一优化仿真的流程示意图；

图6是根据本发明一个实施例极紫外光刻的设计规则，光源和掩模的联合优化方法中在第二优化仿真中根据掩模设计规则、光源和掩模图形获取最优结果的示意图；

图7是根据本发明一个实施例阴影效益及其补偿结果示意图；其中(a)-(b)分别是阴影效益和补偿结果；

图8是根据本发明一个实施例SMO方法优化结果示意图(不包含吸收层厚度优化)；其中(a)-(c)分别是版图设计图形、SMO优化后掩模图形和SMO优化光源结果。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。

参考图1所示，本发明的实施例提供了一种对极紫外光刻的成像建模方法，以下将结合附图1-8对本发明的实施例进行详细说明。在本发明的实施例中，将本发明实施例提供的SMO方法结合到EUV的成像建模中。虽然实施例仅以建模方法为例，但是其中具体的EUV的设计规则，光源和掩模的联合优化方法也是本发明权利要求需要保护的部分。在本发明的实施例中，仅仅是为了说明的便利，将EUV的设计规则，光源和掩模的联合优化方法也一并放入到实施例中进行说明。在次，我们不再单独对EUV的设计规则，光源和掩模的联合优化方法的实施例做另外独立的说明。

如图1所示，在步骤S01，输入初始光源信息和掩模版图信息。具体地，初始光源信息具体包括光源类型、数值孔径(NumericalAperture,NA)，掩模信息具体包括掩模极性(darkfield或brightfield)掩模设计图形(目标图形)、光阻信息等。光阻信息主要包括光刻叠层中光刻胶、底部抗反层(BRAC)等各个材料的折射率(n，k)以及厚度。在本发明的实施例中，原始掩模版图是一种接触孔结构的测试图形，如图2所示。在原始掩模版图中，如图2a所示，具有较高密度的图形x、y方向的特征尺寸都为44nm,x、y方向的节距为88nm，而图2b，2c和2d的x、y方向的特征尺寸也都为44nm，x、y方向的节距分别为248nm、588nm和988nm。此外，本发明实施例的EUV光刻系统请参考图3所示，掩模的三维结构示意图请参考图4所示。

在步骤S02，对输入的掩模版图的图形进行检测，选择掩模版图中的热点区域。选择的优化版图区域可以包括：从所有输入掩模版图中按照手动与自动相结合的方式选择掩模版图，其中，手动选择的掩模版图图形主要包括用于确定曝光剂量的锚图形(anchorpattern)、热点区域(hotspot)图形以及其他能反映版图实际结构的具有代表性的图形；自动选择掩模版图图形是通过分析图形衍射级次分布，自动从大量变周期、变尺寸的图形中选择出具有代表性的图形。原始版图包括2115个图形CD固定周期不同的测试图形。使用EDA工具，根据版图的衍射频谱分布，自动从2115个其余图形中选择30个参与后续优化。在本发明的其他实施例中也可以选择其他图形个数，例如40个、50个或100个等，本发明对此不做限制。

步骤S03，根据输入的光刻工艺参数(包括光源信息等)以及掩模版图信息，对杂散光进行计算并补偿。在确定输入参量以及选择完版图之后，在该步骤中，建立杂散光基础模型，杂散光计算方法为：

$>I_{flare}(x,y)={\mathrm{PSF}}_{SC}(x,y)\otimes PD,$>

其中，I_flare(x,y)表示杂散光光强分布，PSF_SC(x,y)表示杂散光点扩散函数，通过测量特殊掩模图形成像光强分布得到。PD表示版图图形密度，通过对版图图形进行降采样得到。

步骤S04，按照计算后的杂散光效应后，将其耦合到极紫外光刻成像模型中，建立极紫外光刻成像模型。采用Abbe建立EUV光刻成像模型，EUV光刻系统视为理想成像系统，即衍射受限系统，基于傅里叶光学理论，使用传递函数描述光学系统的主要组成部分，将杂散光效应加入到EUV成像建模中进行补偿，其计算方法为：

$>I_s(x,y)=(1-TIS)I(x,y)+{\mathrm{PSF}}_{SC}(x,y)\otimes PD,$>

其中，I_s(x,y)表示极紫外成像光强分布，I(x,y)表示理想的光刻成像光强分布，基于Abbe成像理论的光刻矢量成像模型，计算方法为：

$>I(x,y)=\underset{s}{\int }{a}_s(x,y,f_{x,s},f_{y,s})·a_s^{*}(x,y,f_{x,s},f_{y,s})·S(f_{x,s},f_{y,s}){\mathrm{df}}_{x,s},{\mathrm{df}}_{y,s}$>

α_s(x,y,f_x,s,f_y,s)＝F^-1{P(f_x-f_x,s,f_y-f_y,s)iF{M(x,y)}}，

其中,下标s表示照明光源上某个点光源，α_s表示点光源s在成像面上的电磁场分布,α_s^*是它的共轭。S(f_x,f_y)表示照明光学系统由通过有效光源分布函数，表征不同角度的非相干平面波的强度分布。空间频率f定义为平面波传播方位角的正弦值与波长的比值：

$>f_{x,y=\frac{{\mathrm{sin\theta }}_{x,y}}{\lambda }},$>

掩模对入射光线的调制作用由透过率函数M(x,y)或透过率函数的夫琅和费衍射光谱F{t(x,y)}表示，F{i}表示傅里叶变换，F^-1{i}表示逆傅里叶变换。TIS表示全积分散射，是杂散光的总强度占进入光刻光学系统的成像光束总强度的比例，计算方法为：

$>TIS=\underset{\infty }{\int }{\mathrm{PSF}}_{SC}(x,y)dxdy=\underset{\infty }{\int }2\pi r·{\mathrm{PSF}}_{SC}\left(r\right)dr.$>

以下将进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图，具体地可以包括步骤S05-08。

步骤S05，在整个掩模版上使用统一的吸收层厚度，对热点区域进行光源和掩模联合的第一优化仿真。SMO使用工业级EDA工具完成，其原理为：在逆光刻技术(ILT)框架下，统一的吸收层厚度，采用最速下降法实现并行SMO算法，该算法的核心是在一个优化循环内，同时对光源、掩模图形进行优化。其基本流程如图5所示。

其中，停止条件主要为成像质量评价函数：

$>F\left(I_s\right(x,y),\bar{I}(x,y\left)\right)=\underset{x,y}{\Sigma }|I_s(x,y)-\bar{I}(x,y){|}^2$>

即为版图上图形分布，称为目标图形。评价函数用来量化成像保真度，形式为成像误差的二范数。

步骤S06，对优化后的光源、掩模版图进行分析，评估结果是否满足第一光刻工艺条件，如果不能够满足第一光刻工艺条件，则执行后续步骤S07，如果满足第一光刻工艺条件，则执行后续步骤S08。第一光刻工艺条件包括：以预设测量位置处的特征尺寸容限(criticaldimensionvariation,CDvar)为测量标准，通过光刻可制造性的检测(LMC)，使得焦深(depthoffocus,DOF)、曝光宽容度(exposurelatitude,EL)、掩模误差增强因子(maskerrorenhancementfactor,MEEF)等符合实际的工艺指标。例如，确定以特征尺寸容限为图形宽度的±10％为工艺检测要求，以5％曝光宽容度处的焦深为评价光刻成像质量的检测指标，对光源掩模协同优化的结果进行分析。若焦深符合要求(在本实施例中为>80纳米)则进入步骤S08，若不满足要求，则进入步骤S07。

所述步骤S07中可调整工艺参数包括：掩模可制造性的基本规则以及参与优化的掩模误差、曝光剂量浮动和离焦量。掩模可制造性的基本规则包括掩模版图主图形规则、辅助图形规则、以及主图形与辅助图形间规则三部分，其中所述掩模版图主图形规则包括掩模版图中面积较大的多边形区域的最小宽度、最小间距、角对角最小宽度、角对角最小间距，所述辅助图形规则包括掩模版图中面积较小的多边形区域的最小宽度、最小间距、角对角最小宽度、角对角最小间距、最大宽度，所述主图形与辅助图形间规则包括辅助图形到主图形最小间距、辅助图形到主图形角对角最小间距、图形最小面积。如为增大工艺窗口中的DOF，将参与优化的离焦量从±40纳米，改为±50nm。

重复步骤S05-S07，不断重复更新工艺参数、光源、掩模，直至仿真结果满足第一光刻工艺条件。

步骤S08，确定光刻工艺参数后，将光源、掩模和光刻工艺参数固定，准备带入以下优化步骤。

获取了光源、掩模和光刻工艺参数后，以下步骤将进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模图形，具体地可以包括步骤S09-S12。

步骤S09，确定掩模版图的吸收层厚度的范围以及步长，按照预先设定的步长将一定范围的吸收层厚度进行采样，分别建立多个不同吸收层厚度的掩模三维结构模型，分别计算不同吸收层厚度下的极紫外光刻成像模型，利用不同吸收层厚度进行多次SMO。

步骤S10，对不同的吸收层厚度的光源掩模联合优化结果进行分析，选择出最佳的吸收层厚度、光源和掩模版图。主要通过评估每组优化结果的第一光刻工艺条件下产生的工艺窗口大小判断，工艺窗口以DOF5％EL表示。

步骤S11，带入上述选择(即第一优化仿真获得)的最佳的光源、掩模版图进行分析，再次评估结果是否满足第二光刻工艺条件，如果不能够满足第二光刻工艺条件，则执行后续步骤S12，如果满足第二光刻工艺条件，则执行后续步骤S13。第二光刻工艺条件以整个版图的多种缺陷指标为测量标准，主要包括特征尺寸容限、特征尺寸均匀性、颈缩、桥接、套刻精度等测试中必须检测的各种缺陷，对光刻成像质量进行评估。在本实施例中，使用特征尺寸均匀性、颈缩、桥接、多余的曝光成像区域(extraprinting)以及丢失的曝光成像区域(missing)，使得焦深、曝光宽容度、掩模误差增强因子等满足预设的指标。

步骤S12，根据上述光刻工艺参数，同时对掩模设计规则、光源和掩模图形进行优化，直至所述第二光刻仿真评估的结果满足第二光刻工艺条件，获得最佳设计规则、光源和掩模图形。光源、掩模图形联合优化方法使用EDA工具，采用多次同时SMO方法完成。如图6所示，为在第二优化仿真中根据掩模设计规则、光源和掩模图形获取最优结果的示意图。

其中，在第二优化仿真中停止条件主要为成像质量评价函数，与步骤05所述相同。

重复步骤S11-S12，不断更新掩模设计规则，重复EUV设计规则、光源和掩模联合优化，直至仿真结果满足第二光刻工艺条件，从而确定满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图。

在上述步骤中，S05-S12也是本发明的另一实施例，EUV的设计规则，光源和掩模的联合优化方法的一个详细说明。在次，我们不再单独对EUV的设计规则，光源和掩模的联合优化方法的实施例做另外独立的说明。

步骤S13,计算掩模图形的每个边缘分别计算阴影宽度，并按照上述步骤中更新后的掩模图形尺寸进行调整，补偿其阴影效应。

EUV光刻中考虑的阴影效应补偿，主要是在掩模图形的边缘添加阴影的宽度来进行补偿的，本项目拟采用改进的“余弦法则”来实现计算阴影宽度。图3阴影效应产生原因及补偿效果示意图。阴影效应通过对优化后的掩模图形每条边添加偏置,根据余弦法则计算每条边的偏置量实现补偿：

B＝B_maxcosⁿα，

其中B表示最大每条边的阴影宽度，B_max表示最大阴影宽度，为实验数据的横向线条CD与纵向线条CD最大偏差的一半。n为可调参量，通过实验数据拟合获得，约为2。B的拟合方式为实验数据的横向线条CD与纵向线条CD最大偏差的一半。据其对版图中每条边进行补偿，重新设计版图。如图7所示为阴影效益及其补偿结果示意图。

步骤S14,获得优化后的光源以及掩模版图并输出结果。

如图8所示为根据本发明实施例SMO方法优化结果示意图(包括吸收层厚度优化)。

本方法将EUV中的杂散光效应和阴影效应分别加入到SMO的建模中，建立一种针对EUV光刻的SMO方法。同时由于EUV掩模吸收层厚度对光刻成像质量影响明显，而传统的SMO方法仅对掩模图形的二维分布，即多边形的长度和宽度进行优化，本方法在其基础上将掩模吸收层厚度加入到SMO中，建立了掩模三维结构优化方法。为了进一步提高SMO方法的自由度，提高光刻成像性能以及优化掩模可制造性，本方法将芯片设计规则优化引入SMO流程中，得到设计目标图形和先进SMO联合优化方法，在保证器件尺寸不变情况下，微调部分器件版图线宽及间距，从而提高整体工艺窗口，节省了优化的时间，同时又达到增大复合工艺窗口的目的。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同或相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的系统实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个仿真窗口上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。

虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。