一种集成了TFET的FINFET器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种集成了TFET的FINFET器件及其制备方法，在鳍的两个端部区域分别形成N型漏区和由顶部P型掺杂区和底部N型掺杂区构成的源区，从而由源区的底部N型掺杂区、漏区、沟道区、位于鳍结构的侧壁的高K介质层和位于鳍结构的侧壁的栅极共同构成MOS FINFET器件；以及由源区的顶部P型掺杂区、漏区、沟道区、位于鳍结构的顶部的高K介质层和位于鳍结构的顶部的栅极共同构成TFET器件，本发明实现了TFET与FINFET器件的集成，节约了成本。