具有记忆胞的元件及具有记忆胞阵列的元件的制造方法

摘要

一种具有二位元浮置闸极记忆胞的元件的制造方法，首先提供一基底，且在基底上的记忆胞区中形成一复合电荷储存膜层。接着，在复合电荷储存膜层上形成一保护衬里材料层。其中，记忆胞区更包括在基底中的埋入式扩散区上形成氧化元件，以及在复合电荷储存膜层上形成多晶硅间隙壁，且此多晶硅间隙壁倚靠在此氧化元件的侧壁上。此外，更包括以多晶硅间隙壁为罩幕，进行一蚀刻制程穿过横向两氧化元件间的复合电荷储存膜层以形成一隔离沟渠，并在沟渠中形成一绝缘体。然后，形成一闸极导体并覆盖该复合电荷储存结构，且填满两氧化元件间的隔离沟渠。