公开/公告号CN108511392B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201810096680.X
申请日2018-01-31
分类号
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人韩建伟
地址 100029北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 10:43:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-12
授权
授权
2018-10-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20180131
实质审查的生效
2018-10-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20180131
实质审查的生效
2018-09-07
公开
公开
2018-09-07
公开
公开
2018-09-07
公开
公开
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机译: 在通过改进的形成具有稳定阈值电压和平坦带电压的互补金属氧化物半导体(CMOS)结构的方法形成的CMOS器件中,实现在CMOS器件中实现阈值电压控制的阻挡层(的高k电介质选择性实现)
机译: 具有改进的阈值电压和平坦带电压(CMOS)结构的稳定性的互补金属氧化物半导体及其形成方法(为了通过在CMOS器件形成中实现阈值可变电压控制而选择性地安装势垒层)高介电常数
机译: 制造多阈值金属门CMOS器件的方法和过程,特别是涉及在电压具有多阈值的情况下形成包括金属门的CMOS