一种砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮及其制备方法

摘要

本发明公开了一种砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮，由以下体积份数的原料制成：金刚石15~25份、偶联剂2~6份、造孔剂2.5~5.5份、二氧化硅15~25份、氧化铈5~10份、酚醛树脂15~22份；本发明还公开了该砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮的制备方法以及该超细抛光砂轮在砷化镓晶片抛光上的应用。本发明制得的超细抛光砂轮组织均匀且软，气孔率35~60%，孔径50~200μm；对半导体材料砷化镓晶片具有良好的磨削性能，磨削后的晶片表面损伤层低，且大大提高了生产效率和良品率。