一种采用异质结结构的可控硅及其制造方法

摘要

本发明公开了一种采用异质结结构的可控硅，包括P型穿通区、N型长基区、P+阳极区、P型短基区；P型短基区与P型穿通区之间设有沟槽；P型穿通区、N+阴极区、P型短基区上侧均覆有氮化硅钝化层；P型短基区上侧还设有门极；本发明的制作工艺包括：硅片双面抛光、氧化、穿通区光刻、穿通扩散、短基区扩散、浓硼区光刻、浓硼区扩散、阴极区光刻、生长碳化硅外延、碳化硅刻蚀、沟槽光刻、沟槽腐蚀、氮化硅钝化、玻璃钝化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背金。本发明减小了常温下可控硅的触发电流，避免了发射区重掺杂效应的发生，提高了可控硅在高温下工作的稳定性。