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一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法

摘要

本发明涉及一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法,它包括氢处理工序,具体如下:采用等离子体增强化学的气相沉积法对制绒后的半导体基板表面进行氢处理。本发明的目的在于提供一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法,不但能够提高异质结太阳能电池的转换效率,而且能够解决铸造单晶硅和多晶硅体少子寿命低、杂质缺陷多等问题,使其应用于异质结太阳能电池当中,从而进一步降低异质结太阳能电池的制作成本。

著录项

  • 公开/公告号CN113937184A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 福建新峰二维材料科技有限公司;

    申请/专利号CN202111129300.6

  • 发明设计人 许志;

    申请日2021-09-26

  • 分类号H01L31/18(20060101);H01L31/20(20060101);H01L31/0747(20120101);

  • 代理机构11429 北京中济纬天专利代理有限公司;

  • 代理人张磊

  • 地址 362100 福建省泉州市台商投资区东园镇东纬三路

  • 入库时间 2023-06-19 13:54:12

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