于半导体薄膜的应变松弛的异质外延中用于缺陷的有效深宽比捕捉的具倾角的沟槽的使用

摘要

本公开内容的实施方式涉及降低异质外延生长薄膜中的位错密度，以及包括具有降低的位错密度的异质外延薄膜的装置。根据本公开内容的实施方式，高深宽比沟槽的侧壁可倾斜或具有倾角，以允许形成于高深宽比沟槽中的结晶材料中的缺陷终止于倾斜的侧壁中，所述缺陷包括沿高深宽比沟槽的长度传播的缺陷。本公开内容的实施方式可用以减少微电子应用中硅(Si)上异质外延生长中的缺陷，诸如在场效应晶体管中使用第III族‑第V族元素的高迁移率通道。