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一种具有双负阻特性的负阻器件

摘要

本发明提出并研制成一种具有双负阻特性的复合式三端半导体负阻器件,该器件由一横向pnp双极管、-n沟耗尽型MOS管和电阻Rc通过适当方式相互联接而成。该器件具有(1)电压控制型和电流控制型双负阻特性;(2)正阻区和负阻区值都便于控制;(3)制造工艺易与CMOS工艺相容等优点。在0.1~10MHz频率范围内,它可以分立器件形式或作为集成电路的一部分,构成振荡器、单稳电路、双稳电路、逆变器、开关电路。

著录项

  • 公开/公告号CN1035849C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日1997-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN92105623.0

  • 发明设计人 郭维廉;

    申请日1992-07-22

  • 分类号H01L27/26;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2022-08-23 08:54:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1998-09-16

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 1997-09-10

    授权

    授权

  • 1996-01-17

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1994-03-02

    公开

    公开

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