法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-27
授权
授权
2017-03-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20160816
实质审查的生效
2017-03-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20160816
实质审查的生效
2017-03-01
公开
公开
2017-03-01
公开
公开
机译: 用于SQUID磁力计或梯度仪的双晶衬底设计具有与SQUID平面成一定角度的晶界,并具有2个非对称的Josephson触点
机译: 具有双晶结构的磁阻效应器件,该双晶结构由各自具有多个子晶粒的主晶粒组成
机译: 具有双晶铜层的半导体封装结构的形成方法