闪存存储单元的浮栅及其制备方法和一种闪存存储单元

摘要

本发明提供了一种闪存存储单元的浮栅及其制备方法和一种闪存存储单元，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用异质结浮栅结构，在横向上分别采用P⁺N⁺P⁺不同掺杂的多晶硅或者宽禁带材料+窄禁带材料+宽禁带材料结构组成浮栅，导带和价带的能级上有至少两个异质结，该异质结使浮栅的能带形成能谷。实现了闪存存储单元存储的电子被浮栅的异质结限制在浮栅的能谷中，大大地增加了闪存的保持特性。而且在相同编程环境下，大大提高了闪存单元的编程速度和效率，降低了编程功耗。