用于通孔填充的交替电镀和蚀刻过程

摘要

本发明提供了一种填充衬底上通孔的方法。通孔是一个具有上边缘、下边缘和内表面的连续通道。在一个实施例中，该方法包括步骤(a)‑(d)。在步骤(a)，在衬底上沉积导电材料，从而在边缘周围和内表面上沉积一层导电材料层。在步骤(b)，蚀刻沉积的导电材料。特别地，蚀刻步骤选择性地去除更多沉积在边缘处的导电材料，相对于沉积在通道内表面的中间部分处的导电材料来说。在步骤(c)，通过在剩余沉积物上沉积导电材料，来生长剩余沉积物。执行步骤(b)和(c)一次或多次，直到通道中间部分由导电材料形成的桥密封住。在步骤(d)，进一步在衬底上沉积导电材料，从而完全填充通孔。