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多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法

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摘要

本发明提供多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)的多晶硅膜的形成方法。本发明多晶硅膜的形成方法是在利用掩模通过激光照射使蒸镀在玻璃基板上的非晶硅膜结晶形成多晶硅膜的多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法，其特征在于，在上述方法中，所述非晶硅膜的结晶化采用使玻璃基板以一定的距离单位平行移动，同时利用具有设定形象的掩模图形照射激光使晶粒呈圆形地成长的方式进行。

著录项

  • 公开/公告号CN1333439C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-08-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 京东方显示器科技公司;

    申请/专利号CN200410085786.8

  • 发明设计人 金亿洙;李镐年;柳明官;朴宰彻;孙暻锡;李俊昊;权世烈;

    申请日2004-10-22

  • 分类号H01L21/268(20060101);H01L21/324(20060101);H01L21/336(20060101);G02F1/13(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人张平元;赵仁临

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-11-26

    专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L 21/268 合同备案号:2014990000768 让与人:海帝士科技公司 受让人:京东方科技集团股份有限公司 发明名称:多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法 申请公布日:20050713 授权公告日:20070822 许可种类:普通许可 备案日期:20140924 申请日:20041022

    专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

  • 2014-07-30

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/268 变更前: 变更后: 申请日:20041022

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2007-08-22

    授权

    授权

  • 2005-09-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-07-13

    公开

    公开

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