具有增强的浪涌电流能力的结势垒肖特基二极管

摘要

描述了一种具有增加的浪涌电流能力的半导体功率整流器，其具有半导体层，所述半导体层具有第一主侧和与第一主侧相反的第二主侧。半导体层包含具有第一导电类型的漂移层、具有不同于第一导电类型的第二导电类型的至少一个先导区、具有第二导电类型的多个条形发射极区，以及具有第二导电类型的过渡区，其中所述至少一个先导区在平行于第一主侧的任何横向方向上具有至少200μm的宽度并邻近于第一主侧形成以与漂移层一起形成第一p‑n结，每个发射极区邻近于第一主侧形成以与漂移层一起形成第二p‑n结，以及过渡区邻近于第一主侧形成以与漂移层一起形成第三p‑n结。至少一个先导区通过多个条形发射极区连接到过渡区。