首页> 中国专利> 半导体存储器件和包括半导体存储器件的存储系统

半导体存储器件和包括半导体存储器件的存储系统

摘要

半导体存储器件包括:存储器单元阵列,其包括在衬底之上层叠配置的第一多个正常存储器单元和第二多个虚设存储器单元;第一多个正常字线,其与第一多个正常存储器单元电耦接;以及第二多个虚设字线,其与第二多个虚设存储器单元电耦接,其中,第一多个正常存储器单元包括至少一个坏的存储器单元,并且至少一个坏的存储器单元中的每个被第二多个虚设存储器单元之中的虚设存储器单元代替。

著录项

  • 公开/公告号CN104835525B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱思开海力士有限公司;

    申请/专利号CN201410426038.5

  • 发明设计人 崔殷硕;吴政锡;

    申请日2014-08-26

  • 分类号

  • 代理机构北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人俞波

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 10:40:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-06

    授权

    授权

  • 2017-03-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/06 申请日:20140826

    实质审查的生效

  • 2017-03-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/06 申请日:20140826

    实质审查的生效

  • 2015-08-12

    公开

    公开

  • 2015-08-12

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号