公开/公告号CN106250193B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 上海盈方微电子有限公司;
申请/专利号CN201610645099.X
申请日2016-08-09
分类号
代理机构上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郭桂峰
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路2290弄1号1305、1306单元
入库时间 2022-08-23 10:39:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-27
授权
授权
2017-01-18
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F9/445 申请日:20160809
实质审查的生效
2017-01-18
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 9/445 申请日:20160809
实质审查的生效
2016-12-21
公开
公开
2016-12-21
公开
公开
机译: 具有不对称电荷陷阱的多状态存储器单元,存储器阵列,电气系统,用于编程,擦除或读取多状态NAND存储器单元的方法以及读取多状态NAND存储器单元的阵列的方法
机译: 存储器系统,nand-flash存储器以及用于在具有随机访问的nand-flash存储器系统中读取数据的方法
机译: 用于NAND存储器寻址的存储器控制器,NAND存储器设备,数据存储系统和方法