首页> 中国专利> 一种冷光片介电层的组织结构及介电层制备方法

一种冷光片介电层的组织结构及介电层制备方法

摘要

本发明提供了一种冷光片介电层的制备方法,其中,包括如下步骤:A、制备FeNi3合金亚微米球的步骤;B、对FeNi3合金亚微米球进行SiO2介电壳层包覆形成核壳结构的步骤;C、旋涂法制备介电层的步骤。本发明的优点为配比简单,制作方法简单,制得的介电层介电性能好,且微纳米颗粒无团聚现象,发光均匀。

著录项

  • 公开/公告号CN107645808B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201711045625.X

  • 申请日2017-10-31

  • 分类号H05B33/22(20060101);H05B33/10(20060101);

  • 代理机构33242 宁波鄞州全方专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人胡雅芳

  • 地址 101300 北京市顺义区马坡镇白马路60号

  • 入库时间 2022-08-23 10:38:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-16

    授权

    授权

  • 2019-05-03

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H05B 33/22 登记生效日:20190412 变更前: 变更后: 申请日:20171031

    专利申请权、专利权的转移

  • 2019-05-03

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H05B 33/22 登记生效日:20190412 变更前: 变更后: 申请日:20171031

    专利申请权、专利权的转移

  • 2018-03-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05B33/22 申请日:20171031

    实质审查的生效

  • 2018-03-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05B33/22 申请日:20171031

    实质审查的生效

  • 2018-03-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05B 33/22 申请日:20171031

    实质审查的生效

  • 2018-01-30

    公开

    公开

  • 2018-01-30

    公开

    公开

  • 2018-01-30

    公开

    公开

  • 2018-01-30

    公开

    公开

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