侧墙形成方法和包括侧墙的半导体器件

摘要

本公开提供了一种侧墙形成方法和包括侧墙的半导体器件。一示例方法可以包括:在衬底上形成鳍；在衬底上形成与鳍相交的栅堆叠；在衬底上共形淀积第一介质层，覆盖鳍和栅堆叠；在第一介质层上共形淀积第二介质层；对第二介质层进行各向异性刻蚀，以在栅堆叠和鳍各自的至少一部分侧壁上形成第一侧墙；以及以第一侧墙为掩模，对第一介质层进行选择性各向异性刻蚀，以形成第二侧墙。