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磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法

摘要

本发明涉及磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法,以金属钒靶或氧化钒陶瓷靶作为靶材,以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成A相二氧化钒薄膜。A相二氧化钒的晶胞参数为a

著录项

  • 公开/公告号CN107779831B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN201610744315.6

  • 发明设计人 曹逊;金平实;孙光耀;李荣;

    申请日2016-08-26

  • 分类号

  • 代理机构上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹芳玲

  • 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号

  • 入库时间 2022-08-23 10:38:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-16

    授权

    授权

  • 2018-04-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20160826

    实质审查的生效

  • 2018-04-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20160826

    实质审查的生效

  • 2018-03-09

    公开

    公开

  • 2018-03-09

    公开

    公开

  • 2018-03-09

    公开

    公开

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