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一种C单元加固的组合逻辑单元电路结构生成方法

摘要

一种C单元加固的组合逻辑单元电路结构生成方法,首先根据选取需要加固的组合逻辑单元,分别加入C单元电路结构,得到加固组合逻辑单元及元逻辑描述,然后根据加固组合逻辑单元逻辑描述生成测试向量,遍历C单元中MOS管宽度,得到延时最小值对应的MOS管宽度值,进而得到加固组合逻辑单元电路结构,最后使用测试向量对得到的加固组合逻辑单元电路结构进行测试,得到特征化参数。

著录项

  • 公开/公告号CN106339531B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京控制工程研究所;

    申请/专利号CN201610676527.5

  • 申请日2016-08-16

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构11009 中国航天科技专利中心;

  • 代理人陈鹏

  • 地址 100080 北京市海淀区北京2729信箱

  • 入库时间 2022-08-23 10:36:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-12

    授权

    授权

  • 2017-02-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20160816

    实质审查的生效

  • 2017-02-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20160816

    实质审查的生效

  • 2017-01-18

    公开

    公开

  • 2017-01-18

    公开

    公开

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