ZnO/AlN/Si多层结构薄膜及制备方法与应用

摘要

本发明公开ZnO/AlN/Si多层结构薄膜及制备方法与应用，包括Si衬底，及Si衬底上依次叠层的具有c轴择优取向的AlN薄膜和ZnO薄膜。本发明以传统半导体工艺兼容性好的单晶Si（100）作为衬底材料，采用反应磁控溅射法，首先利用Al靶材反应溅射在Si衬底上生长出AlN（110）薄膜，然后通过AlN薄膜（110）晶面与ZnO（110）薄膜晶面较低的晶格适配度，利用Zn靶材反应溅射在AlN（110）薄膜上成长出ZnO（110）薄膜，最终形成ZnO(110)/AlN(110)/Si多层结构薄膜。本发明制备方法设备简单，工艺简便，成本低廉，为Love‑SAW传感器提供新型的压电薄膜材料。